Транзистор IRF7805ZG
IRF7805ZG - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 16 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0068 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 18 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 10 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 480 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IRF7805ZG можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AFN7424S |
SMD |
N |
3.8 |
30 |
20 |
2 |
20 |
0.005 |
15 |
10 |
350 |
150 |
DFN3.3X3.3-8L |
| CSD18531Q5A |
SMD |
N |
3.1 |
60 |
20 |
2.3 |
19 |
0.0046 |
18 |
7.8 |
380 |
150 |
SON5X6 |
| CSD18533Q5A |
SMD |
N |
3.2 |
60 |
20 |
2.3 |
17 |
0.0059 |
14 |
5.5 |
292 |
150 |
SON5X6 |
| IRF7805Z |
SMD |
N |
2.5 |
30 |
20 |
2.25 |
16 |
0.0068 |
18 |
10 |
480 |
150 |
SO-8 |
| IRF7805ZGPBF |
SMD |
N |
2.5 |
30 |
20 |
2.25 |
16 |
0.0068 |
18 |
10 |
480 |
150 |
SO-8 |
| IRF7805ZPBF |
SMD |
N |
2.5 |
30 |
20 |
2.25 |
16 |
0.0068 |
18 |
10 |
480 |
150 |
SO-8 |
| IRF7805ZPBF-1 |
SMD |
N |
2.5 |
30 |
20 |
2.25 |
16 |
0.0068 |
18 |
10 |
480 |
150 |
SO-8 |
| RJK03M5DNS |
SMD |
N |
15 |
30 |
20 |
- |
25 |
0.0063 |
10.4 |
3 |
220 |
150 |
HWSON8 |
| RS1E170GN |
SMD |
N |
3 |
30 |
20 |
2.5 |
17 |
0.0067 |
12 |
4.8 |
240 |
150 |
HSOP8 |
| RS1E200GN |
SMD |
N |
3 |
30 |
20 |
2.5 |
20 |
0.0046 |
16.8 |
7.2 |
275 |
150 |
HSOP8 |
| SK840317L |
SMD |
N |
24.6 |
30 |
20 |
3 |
16 |
0.0041 |
17 |
10 |
250 |
150 |
HSSO8-F1-B |
| SK860317L |
SMD |
N |
2.8 |
30 |
20 |
3 |
20 |
0.0041 |
17 |
10 |
250 |
150 |
HSO8-F4-B |