Транзистор IRF7811AVPBF
IRF7811AVPBF - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 10.8 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.014 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 17 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 21 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 723 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IRF7811AVPBF можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CHM3060JGP |
SMD |
N |
2.5 |
30 |
20 |
3 |
14 |
0.0078 |
16 |
5 |
325 |
150 |
SO-8 |
| IRF7466 |
SMD |
N |
2.5 |
30 |
20 |
3 |
11 |
0.0125 |
16 |
2.8 |
710 |
150 |
SO-8 |
| IRF7466PBF |
SMD |
N |
2.5 |
30 |
20 |
3 |
11 |
0.0125 |
16 |
2.8 |
710 |
150 |
SO-8 |
| IRF7811AVPBF-1 |
SMD |
N |
2.5 |
30 |
20 |
3 |
10.8 |
0.014 |
17 |
21 |
723 |
150 |
SO-8 |
| MMN4307 |
SMD |
N |
2.5 |
30 |
20 |
3 |
14 |
0.0078 |
15.24 |
4.68 |
322.62 |
150 |
SOP-8 |
| MMN6680 |
SMD |
N |
2.5 |
30 |
20 |
3 |
12 |
0.011 |
10.52 |
3.28 |
205.32 |
150 |
SOP-8 |
| SK840317L |
SMD |
N |
24.6 |
30 |
20 |
3 |
16 |
0.0041 |
17 |
10 |
250 |
150 |
HSSO8-F1-B |
| SK860317L |
SMD |
N |
2.8 |
30 |
20 |
3 |
20 |
0.0041 |
17 |
10 |
250 |
150 |
HSO8-F4-B |
| SK860319L |
SMD |
N |
2.7 |
30 |
20 |
3 |
12 |
0.01 |
6.3 |
3 |
160 |
150 |
HSO8-F4-B |
| SSM6680GM |
SMD |
N |
2.5 |
30 |
25 |
3 |
11.5 |
0.011 |
16.8 |
7.3 |
285 |
150 |
SO-8 |
| STL66N3LLH5 |
SMD |
N |
4.8 |
30 |
22 |
3 |
21 |
0.0058 |
12 |
14.5 |
295 |
175 |
PowerFLAT5X6 |
| STN4392 |
SMD |
N |
2.5 |
30 |
20 |
3 |
13 |
0.008 |
12 |
10 |
320 |
150 |
SOP-8 |
| STN4402 |
SMD |
N |
2.5 |
30 |
20 |
3 |
12 |
0.013 |
16 |
6 |
258 |
150 |
SOP-8 |