Транзистор IRF8010S
IRF8010S - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: D2PAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 260 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 80 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.015 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 81 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор IRF8010S можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FDB075N15A |
SMD |
N |
333 |
150 |
20 |
4 |
92 |
0.0075 |
77 |
- |
- |
175 |
TO-263 |
| FDBL0630N150 |
SMD |
N |
500 |
150 |
20 |
4 |
169 |
0.005 |
70 |
- |
- |
175 |
H-PSOF8L |
| FDI045N10A |
PTH |
N |
263 |
100 |
20 |
4 |
120 |
0.0045 |
74 |
- |
- |
175 |
TO-262 |
| FDP045N10A |
PTH |
N |
263 |
100 |
20 |
4 |
120 |
0.0045 |
74 |
- |
- |
175 |
TO-220 |
| IRF8010PBF |
PTH |
N |
260 |
100 |
20 |
4 |
80 |
0.015 |
81 |
130 |
480 |
175 |
TO-220AB |
| IRF8010SPBF |
SMD |
N |
260 |
100 |
20 |
4 |
80 |
0.015 |
81 |
130 |
480 |
175 |
TO-263 |