Транзистор IRF8113G
IRF8113G - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.2 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 17.2 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.006 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 24 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IRF8113G можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IRF8113 |
SMD |
N |
2.5 |
30 |
20 |
2.2 |
17.2 |
0.006 |
24 |
8.9 |
- |
150 |
SO-8 |
| IRF8113GPBF |
SMD |
N |
2.5 |
30 |
20 |
2.2 |
17.2 |
0.0056 |
24 |
8.9 |
600 |
150 |
SO-8 |
| IRF8113PBF |
SMD |
N |
2.5 |
30 |
20 |
2.2 |
17.2 |
0.0056 |
24 |
8.9 |
600 |
150 |
SO-8 |
| IRF8113PBF-1 |
SMD |
N |
2.5 |
30 |
20 |
2.2 |
17.2 |
0.0056 |
24 |
8.9 |
600 |
150 |
SO-8 |
| IRFH8321 |
SMD |
N |
3.4 |
30 |
20 |
2.2 |
21 |
0.0049 |
19.4 |
20 |
530 |
150 |
PQFN5X6 |
| IRFHM8326 |
SMD |
N |
2.8 |
30 |
20 |
2.2 |
19 |
0.0047 |
20 |
35 |
524 |
150 |
PQFN3.3X3.3 |
| NVMFS4C03N |
SMD |
N |
3.71 |
30 |
20 |
2.2 |
31.4 |
0.0021 |
20.8 |
32 |
1673 |
175 |
SO-8FL |
| NVMFS4C05N |
SMD |
N |
3.61 |
30 |
20 |
2.2 |
24.7 |
0.0034 |
14 |
32 |
1215 |
175 |
SO-8FL |
| NVTFS4C05N |
SMD |
N |
3.2 |
30 |
20 |
2.2 |
22 |
0.0036 |
14.5 |
30 |
1224 |
175 |
WDFN8 |
| NVTFS4C06N |
SMD |
N |
3.1 |
30 |
20 |
2.2 |
21 |
0.0042 |
11.6 |
32 |
841 |
175 |
WDFN8 |
| TSM40N03PQ33 |
SMD |
N |
3.8 |
30 |
20 |
2.2 |
25 |
0.0046 |
12 |
20 |
350 |
150 |
PDFN33 |
| TSM40N03PQ56 |
SMD |
N |
4.2 |
30 |
20 |
2.2 |
31 |
0.0045 |
12 |
20 |
350 |
150 |
PDFN5X6 |