Транзистор IRF820FI
IRF820FI - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: ISOWATT220
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 35 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 2.2 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 3 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 12.5 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 460 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IRF820FI можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CS4J60A3-G |
PTH |
N |
62 |
600 |
30 |
3.9 |
4 |
2 |
11.2 |
24 |
181 |
150 |
TO-251 |
| CS4J60B3-G |
PTH |
N |
45 |
600 |
30 |
3.9 |
4 |
2.5 |
11.2 |
25 |
128 |
150 |
TO-251 |
| MCP04N65 |
PTH |
N |
50 |
650 |
30 |
4 |
4 |
3 |
5 |
10 |
180 |
150 |
TO-220 |
| MCU04N60 |
SMD |
N |
50 |
600 |
30 |
4 |
4 |
3 |
5 |
7 |
125 |
150 |
TO-252 |
| MCU04N65 |
SMD |
N |
50 |
650 |
30 |
4 |
4 |
3 |
5 |
10 |
180 |
150 |
TO-252 |
| MMD60R900PRH |
SMD |
N |
38 |
600 |
30 |
4 |
4.5 |
0.9 |
12.3 |
29 |
306 |
150 |
TO-252 |
| MMIS60R900PTH |
PTH |
N |
38 |
600 |
30 |
4 |
4.5 |
0.9 |
12.3 |
29 |
306 |
150 |
TO-251 |
| STD3NM60T4 |
SMD |
N |
42 |
600 |
30 |
5 |
3 |
1.5 |
10 |
4 |
132 |
150 |
DPAK |