Транзистор IRF8252
IRF8252 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 25 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.35 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 25 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0027 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 35 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 32 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IRF8252 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IRF8252PBF |
SMD |
N |
2.5 |
25 |
20 |
2.35 |
25 |
0.0027 |
35 |
32 |
1340 |
150 |
SO-8 |
| IRF8252PBF-1 |
SMD |
N |
2.5 |
25 |
20 |
2.35 |
25 |
0.0027 |
35 |
32 |
1340 |
150 |
SO-8 |
| IRFH8311 |
SMD |
N |
3.6 |
30 |
20 |
2.35 |
32 |
0.0021 |
30 |
26 |
1065 |
150 |
PQFN5X6 |