Справочник электронных компонентов

Транзистор IRF830AS

IRF830AS - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор IRF830AS можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
HFD8N60U SMD N 98 600 30 4.5 6 1.2 22 50 100 150 DPAK
HFD8N65U SMD N 98 650 30 4.5 6 1.4 22 50 100 150 DPAK
HFP8N60S PTH N 147 600 30 4.5 7.5 1.2 22 61 105 150 TO-220
HFP8N60U PTH N 150 600 30 4.5 7.5 1.2 22 50 100 150 TO-220
HFP8N65S PTH N 147 650 30 4.5 7.2 1.4 22 61 105 150 TO-220
HFP8N65U PTH N 150 650 30 4.5 7.5 1.4 22 50 100 150 TO-220
HFW8N65U SMD N 150 650 30 4.5 7.5 1.4 22 50 100 150 D2PAK
SIHF830AL PTH N 74 500 30 4.5 5 1.4 24 21 93 150 TO-262
SIHF830AS SMD N 74 500 30 4.5 5 1.4 24 21 93 150 TO-263
SM5A24NSF PTH N 138 500 30 4.5 10 0.54 17.5 26 460 150 TO-220
SM5A24NSU SMD N 138 500 30 4.5 10 0.54 17.5 26 460 150 TO-252
SM5A24NSUB PTH N 138 500 30 4.5 10 0.54 17.5 26 460 150 TO-251
SM5A25NSF PTH N 113 500 30 4.5 12 0.32 23 30 650 150 TO-220
SM5A25NSU SMD N 113 500 30 4.5 12 0.32 23 30 650 150 TO-252
SM5A25NSUB PTH N 113 500 30 4.5 12 0.32 23 30 650 150 TO-251
SRC7N65TC PTH N 104.2 700 30 4.5 7 0.572 18.9 13.1 474 150 TO-220C
TK8P60W5 SMD N 80 600 30 4.5 8 0.56 22 40 16 150 DPAK