Транзистор IRF840AS
IRF840AS - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: D2PAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 125 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 8 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.85 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 38 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1018 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IRF840AS можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AFN12N60T220T |
PTH |
N |
225 |
600 |
30 |
4 |
12 |
0.75 |
24.35 |
71.67 |
413 |
150 |
TO-220 |
| AP16N50W |
PTH |
N |
250 |
500 |
30 |
4 |
16 |
0.4 |
33 |
50 |
630 |
150 |
TO-3P |
| HFP13N50S |
PTH |
N |
195 |
500 |
30 |
4 |
13 |
0.48 |
38 |
100 |
205 |
150 |
TO-220 |
| IRF840A |
PTH |
N |
125 |
500 |
30 |
4 |
8 |
0.85 |
38 |
- |
1018 |
150 |
TO-220 |
| KDB15N50 |
SMD |
N |
300 |
500 |
30 |
4 |
15 |
0.38 |
33 |
5.4 |
230 |
175 |
TO-263 |