Транзистор IRF8707
IRF8707 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.35 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 11 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0119 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 7.9 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IRF8707 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IRF8707GPBF |
SMD |
N |
2.5 |
30 |
20 |
2.35 |
11 |
0.0119 |
6.2 |
7.9 |
170 |
150 |
SO-8 |
| IRF8707PBF |
SMD |
N |
2.5 |
30 |
20 |
2.35 |
11 |
0.0119 |
6.2 |
7.9 |
170 |
150 |
SO-8 |
| IRF8707PBF-1 |
SMD |
N |
2.5 |
30 |
20 |
2.35 |
11 |
0.0119 |
6.2 |
7.9 |
170 |
150 |
SO-8 |
| IRFH7921PBF |
SMD |
N |
3.1 |
30 |
20 |
2.35 |
15 |
0.0085 |
9.3 |
7.6 |
240 |
150 |
PQFN |