Транзистор IRF9510S
IRF9510S - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: D2PAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 43 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.2 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 8.7 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор IRF9510S можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IRF9510SPBF |
SMD |
P |
43 |
100 |
20 |
4 |
4 |
1.2 |
8.7 |
27 |
94 |
175 |
TO-263 |
| SIHF9510 |
PTH |
P |
43 |
100 |
20 |
4 |
4 |
1.2 |
8.7 |
27 |
94 |
175 |
TO-220AB |
| SIHF9510S |
SMD |
P |
43 |
100 |
20 |
4 |
4 |
1.2 |
8.7 |
27 |
94 |
175 |
TO-263 |