Справочник электронных компонентов

Транзистор IRF9530N

IRF9530N - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Основные характеристики:

Транзистор IRF9530N можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
CEB20P10 SMD P 115 100 20 - 20 0.13 30 16 210 175 TO-263
CEP20P10 PTH P 115 100 20 - 20 0.13 30 16 210 175 TO-220
FQA17P10 PTH P 120 100 30 4 18 0.19 30 200 310 175 TO-3P
FQB15P12TM SMD P 100 120 30 4 15 0.2 29 100 310 175 D2PAK
FQB17P10TM SMD P 100 100 30 4 16.5 0.19 30 200 310 175 D2PAK
FQI15P12TU PTH P 100 120 30 4 15 0.2 29 100 310 175 I2PAK
FQP15P12 PTH P 100 120 30 4 15 0.2 38 - - 175 TO-220
FQP17P10 PTH P 100 100 30 4 16.5 0.19 30 - - 175 TO-220
IRF9530NL PTH P 79 100 20 4 14 0.2 38.7 - 760 175 TO-262
IRF9530NS SMD P 79 100 20 4 14 0.2 38.7 - 760 175 D2PAK
IRFY9140CM PTH P 100 100 20 4 15.8 0.2 30 85 600 150 TO-257AA
IXTA18P10T SMD P 83 100 15 4.5 18 0.12 39 62 - 150 TO-263
IXTP18P10T PTH P 83 100 15 4.5 18 0.12 39 62 - 150 TO-220
IXTY18P10T SMD P 83 100 15 4.5 18 0.12 39 62 - 150 TO-252