Транзистор IRF9530NSPBF
IRF9530NSPBF - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 79 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 14 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.2 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 58 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 58 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 260 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор IRF9530NSPBF можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IRF9530NPBF |
PTH |
P |
79 |
100 |
20 |
4 |
14 |
0.2 |
58 |
58 |
260 |
175 |
TO-220AB |
| SUM25P10-138 |
SMD |
P |
88.2 |
100 |
20 |
4 |
16.7 |
0.138 |
40 |
12 |
105 |
175 |
TO-263 |