Справочник электронных компонентов

Транзистор IRF9610S

IRF9610S - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: D2PAK

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 20 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 200 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 1.8 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 3 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 11 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IRF9610S можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
IRF9610	PTH	P	20	200	20	4	1.8	3	11	-	-	150	TO-220AB
IRF9610PBF	PTH	P	20	200	20	4	1.8	3	11	15	50	150	TO-220AB
IRFR9210	SMD	P	25	200	20	4	1.9	3	8.9	-	-	150	TO-252AA
IRFR9210PBF	SMD	P	25	200	20	4	1.9	3	8.9	12	54	150	TO-252
IRFU9210	PTH	P	25	200	20	4	1.9	3	8.9	-	-	150	TO-251AA
IRFU9210PBF	PTH	P	25	200	20	4	1.9	3	8.9	12	54	150	TO-251
KRF9610S	SMD	P	20	200	20	4	1.8	3	11	15	50	150	TO-263
KRFR9210	SMD	P	25	200	20	4	1.9	3	8.9	12	54	150	TO-252
SIHF9610	PTH	P	20	200	20	4	1.8	3	11	15	50	150	TO-220
SIHF9610S	SMD	P	20	200	20	4	1.8	3	11	15	50	150	TO-263
SIHFR9210	SMD	P	25	200	20	4	1.9	3	8.9	12	54	150	TO-252
SIHFU9210	PTH	P	25	200	20	4	1.9	3	8.9	12	54	150	TO-251