Справочник электронных компонентов

Транзистор IRF9Z10PBF

IRF9Z10PBF - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-220AB

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 43 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 6.7 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.5 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 12 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 63 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 170 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор IRF9Z10PBF можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
FQB7P06TM	SMD	P	45	60	25	4	7	0.41	6.3	50	110	175	D2PAK
IRF9Z14L	PTH	P	43	60	20	4	6.7	0.5	12	63	170	175	TO-262
IRF9Z14LPBF	PTH	P	43	60	20	4	6.7	0.5	12	63	170	175	TO-262
IRF9Z14PBF	PTH	P	43	60	20	4	6.7	0.5	12	63	170	175	TO-220AB
IRF9Z14SPBF	SMD	P	43	60	20	4	6.7	0.5	12	63	170	175	TO-263
SIHF9Z10	PTH	P	43	60	20	4	6.7	0.5	12	63	170	175	TO-220AB
SIHF9Z14	PTH	P	43	60	20	4	6.7	0.5	12	63	170	175	TO-220AB
SIHF9Z14L	PTH	P	43	60	20	4	6.7	0.5	12	63	170	175	TO-262
SIHF9Z14S	SMD	P	43	60	20	4	6.7	0.5	12	63	170	175	TO-263