Справочник электронных компонентов

Транзистор IRF9Z30

IRF9Z30 - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Основные характеристики:

Транзистор IRF9Z30 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
FQB27P06TM SMD P 120 60 25 4 27 0.07 33 185 510 175 D2PAK
FQI27P06TU PTH P 120 60 25 4 27 0.07 33 185 510 175 I2PAK
FQP27P06 PTH P 120 60 25 4 27 0.07 33 - - 175 TO-220
FQP27P06_SW82127 PTH P 120 60 25 4 27 0.07 33 185 510 175 TO-220
IRF9Z34 PTH P 75 60 20 4 18 0.14 34 - - 175 TO-220
IRF9Z34L PTH P 88 60 20 4 18 0.14 34 120 620 175 TO-262
IRF9Z34PBF PTH P 88 60 20 4 18 0.14 34 120 620 175 TO-220AB
IRF9Z34S SMD P 88 60 20 4 18 0.14 34 - - 175 D2PAK
IRF9Z34SPBF SMD P 88 60 20 4 18 0.14 34 120 620 175 TO-263
KQB27P06 SMD P 120 60 25 4 27 0.07 33 185 510 175 TO-263
SFP9Z34 PTH P 82 60 30 4 18 0.14 38 - 890 150 TO-220
SHD226313 PTH P 110 60 20 4 18 0.14 34 120 620 175 TO-257
SIHF9Z34 PTH P 88 60 20 4 18 0.14 34 120 620 175 TO-220AB
SIHF9Z34L PTH P 88 60 20 4 18 0.14 34 120 620 175 TO-262
SIHF9Z34S SMD P 88 60 20 4 18 0.14 34 120 620 175 TO-263
SML9030-T254 PTH P 88 50 20 4 18 0.14 34 120 620 175 TO-254
SPP18P06PG PTH P 81.1 60 20 4 18.7 0.13 21 5.8 230 175 TO-220-3