Транзистор IRFAG30
IRFAG30 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-3
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 75 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 1000 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 2.3 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 5.6 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 68 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 42 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 140 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IRFAG30 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| APT1004RBNR |
PTH |
N |
180 |
1000 |
20 |
4 |
4.4 |
4 |
63 |
10 |
130 |
150 |
TO-247 |
| SML1004R2GXN |
PTH |
N |
100 |
1000 |
30 |
4 |
3 |
4.2 |
35 |
12 |
115 |
150 |
TO-257 |