Справочник электронных компонентов

Транзистор IRFB11N50APBF

IRFB11N50APBF - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-220

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 170 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 11 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.52 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 52 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 35 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 208 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IRFB11N50APBF можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
IRFS11N50APBF	SMD	N	170	500	30	4	11	0.52	52	35	208	150	TO-263
SES744	PTH	N	170	500	30	4	11	0.52	52	35	208	150	TO-257
SIHB20N50E	SMD	N	179	500	30	4	19	0.184	46	27	87	150	TO-263
SIHFS11N50A	SMD	N	170	500	30	4	11	0.52	52	35	208	150	TO-263
SIHG20N50E	PTH	N	179	500	30	4	19	0.184	46	27	87	150	TO-247AC
SIHP20N50E	PTH	N	179	500	30	4	19	0.184	46	27	87	150	TO-220AB