Транзистор IRFD020
IRFD020 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: DIP-4
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 50 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 2.4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.1 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 16 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 55 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 260 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IRFD020 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CHM3055ZGP |
SMD |
N |
3 |
60 |
20 |
4 |
4 |
0.1 |
10 |
24 |
150 |
150 |
SOT-223 |
| IRFD020PBF |
PTH |
N |
1 |
50 |
20 |
4 |
2.4 |
0.1 |
16 |
55 |
260 |
150 |
DIP-4 |
| SIHFD020 |
PTH |
N |
1 |
50 |
20 |
4 |
2.4 |
0.1 |
16 |
55 |
260 |
150 |
HVMDIP |