Транзистор IRFD120
IRFD120 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: HVMDIP
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.3 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.94 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.27 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 16 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 360 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IRFD120 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CHM0410JGP |
SMD |
N |
2.5 |
100 |
20 |
4 |
3.4 |
0.12 |
12 |
3 |
100 |
150 |
SO-8 |
| IRFD120PBF |
PTH |
N |
1.3 |
100 |
20 |
4 |
1.3 |
0.27 |
16 |
27 |
150 |
175 |
DIP-4 |
| IRFD123PBF |
PTH |
N |
1.3 |
100 |
20 |
4 |
1.3 |
0.27 |
16 |
27 |
150 |
175 |
DIP-4 |
| SIHFD120 |
PTH |
N |
1.3 |
100 |
20 |
4 |
1.3 |
0.27 |
16 |
27 |
150 |
175 |
HVMDIP |