Справочник электронных компонентов

Транзистор IRFD123

IRFD123 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: HVMDIP

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.3 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 1.3 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.27 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 27 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 150 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор IRFD123 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
IRFD120PBF	PTH	N	1.3	100	20	4	1.3	0.27	16	27	150	175	DIP-4
IRFD123PBF	PTH	N	1.3	100	20	4	1.3	0.27	16	27	150	175	DIP-4
MTEA0N10Q8	SMD	N	6	100	20	-	5.6	0.076	-	21	54	175	SOP-8
SIHFD120	PTH	N	1.3	100	20	4	1.3	0.27	16	27	150	175	HVMDIP
SIHFD123	PTH	N	1.3	100	20	-	1.3	0.27	-	27	150	175	HVMDIP
SSF1502G5	SMD	N	12	150	20	-	6	0.2	-	5.7	47	175	SOT-223