Транзистор IRFD320
IRFD320 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: HVMDIP
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.3 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 400 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 10 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.6 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.8 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 20 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IRFD320 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| STL3NM60N |
SMD |
N |
2 |
600 |
25 |
4 |
0.65 |
1.8 |
9.5 |
6.2 |
13 |
150 |
PowerFLAT3.3X3.3HV |
| STL6NM60N |
SMD |
N |
2.1 |
600 |
25 |
4 |
1 |
0.92 |
13 |
8 |
30 |
150 |
PowerFLAT5X5 |