Транзистор IRFH4209D
IRFH4209D - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: PQFN5X6
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 3.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 25 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.1 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 44 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0011 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 74 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 49 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1450 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IRFH4209D можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IRFH4210 |
SMD |
N |
3.6 |
25 |
20 |
2.1 |
45 |
0.0011 |
36 |
44 |
1310 |
150 |
PQFN5X6 |
| IRFH4210D |
SMD |
N |
3.5 |
25 |
20 |
2.1 |
44 |
0.0011 |
37 |
45 |
1459 |
150 |
PQFN5X6 |