Транзистор IRFH5006
IRFH5006 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: PQFN5X6
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 3.6 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 21 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0041 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 67 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IRFH5006 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| NVMFS5C604NL |
SMD |
N |
3.9 |
60 |
20 |
2 |
40 |
0.0012 |
52 |
79.1 |
3750 |
175 |
DFN5X6 |
| NVMFS5C612NL |
SMD |
N |
3.8 |
60 |
20 |
2 |
36 |
0.0015 |
41 |
51 |
2953 |
175 |
DFN5X6 |
| SIR662DP |
SMD |
N |
6.25 |
60 |
20 |
2.5 |
35.8 |
0.0027 |
63.5 |
11 |
3270 |
150 |
SO-8 |