Транзистор IRFH5053
IRFH5053 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: PQFN5X6
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 3.1 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 9.3 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.018 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 24 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IRFH5053 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CSD19534Q5A |
SMD |
N |
3.2 |
100 |
20 |
3.4 |
10 |
0.0151 |
17 |
14 |
257 |
150 |
SON5X6 |
| IRFH5053PBF |
SMD |
N |
3.1 |
100 |
20 |
4.9 |
9.3 |
0.018 |
24 |
7.5 |
230 |
150 |
PQFN |
| IRFH7194 |
SMD |
N |
3.6 |
100 |
20 |
3.6 |
11 |
0.0164 |
13 |
3.3 |
374 |
150 |
PQFN5X6 |