Транзистор IRFH5250D
IRFH5250D - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: PQFN5X6
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 3.6 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 25 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 40 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0014 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 39 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IRFH5250D можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IRFH4210 |
SMD |
N |
3.6 |
25 |
20 |
2.1 |
45 |
0.0011 |
36 |
44 |
1310 |
150 |
PQFN5X6 |
| IRFH4213 |
SMD |
N |
3.6 |
25 |
20 |
2.1 |
41 |
0.00135 |
26 |
35 |
940 |
150 |
PQFN5X6 |
| IRFH4213D |
SMD |
N |
3.6 |
25 |
20 |
2.1 |
40 |
0.00135 |
25 |
30 |
1070 |
150 |
PQFN5X6 |