Транзистор IRFH5302D
IRFH5302D - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: PQFN5X6
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 3.6 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 29 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0025 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 26 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IRFH5302D можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| NVMFS4C03N |
SMD |
N |
3.71 |
30 |
20 |
2.2 |
31.4 |
0.0021 |
20.8 |
32 |
1673 |
175 |
SO-8FL |
| STL160NS3LLH7 |
SMD |
N |
4 |
30 |
20 |
2.3 |
36 |
0.0021 |
20 |
21.3 |
970 |
150 |
PowerFLAT5X6 |