Транзистор IRFH6200PBF

IRFH6200PBF - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: PQFN5X6

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 3.6 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 12 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1.1 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 49 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.00099 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 155 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 74 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 2890 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IRFH6200PBF можно заменить на:

Нет элементов для замены