Транзистор IRFH7085

IRFH7085 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: PQFN5X6

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 156 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3.7 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 100 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0032 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 110 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 25 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 560 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IRFH7085 можно заменить на:

Нет элементов для замены