Транзистор IRFHM8235

IRFHM8235 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: PQFN3.3X3.3

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 3 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 25 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.35 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 16 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0077 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 7.7 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 16 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 300 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IRFHM8235 можно заменить на:

Нет элементов для замены