Транзистор IRFHM8330
IRFHM8330 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: PQFN3.3X3.3
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.7 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.35 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 16 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0066 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 9.3 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 15 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 250 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IRFHM8330 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IRFH8330PBF |
SMD |
N |
3.3 |
30 |
20 |
2.35 |
17 |
0.0066 |
9.3 |
15 |
250 |
150 |
PQFN5X6 |