Транзистор IRFHS8242PBF
IRFHS8242PBF - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: PQFN2X2
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.1 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 25 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.35 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 9.9 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.013 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 10.4 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 19 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 171 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IRFHS8242PBF можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IRF8707GPBF |
SMD |
N |
2.5 |
30 |
20 |
2.35 |
11 |
0.0119 |
6.2 |
7.9 |
170 |
150 |
SO-8 |
| IRF8707PBF |
SMD |
N |
2.5 |
30 |
20 |
2.35 |
11 |
0.0119 |
6.2 |
7.9 |
170 |
150 |
SO-8 |
| IRF8707PBF-1 |
SMD |
N |
2.5 |
30 |
20 |
2.35 |
11 |
0.0119 |
6.2 |
7.9 |
170 |
150 |
SO-8 |
| IRFH3707PBF |
SMD |
N |
2.8 |
30 |
20 |
2.35 |
12 |
0.0124 |
5.4 |
11 |
171 |
150 |
PQFN3X3 |
| IRFHM8337 |
SMD |
N |
2.8 |
30 |
20 |
2.35 |
12 |
0.0124 |
5.4 |
11 |
171 |
150 |
PQFN3.3X3.3 |