Транзистор IRFM120ATF
IRFM120ATF - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-223
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.4 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 2.3 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.2 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 14 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 95 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IRFM120ATF можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FDMA86251 |
SMD |
N |
2.4 |
150 |
20 |
4 |
2.4 |
0.175 |
- |
1.7 |
24 |
150 |
MicroFET2X2 |
| FDS3612 |
SMD |
N |
2.5 |
100 |
20 |
4 |
3.4 |
0.12 |
- |
2 |
40 |
175 |
SO-8 |
| IRFHM3911 |
SMD |
N |
2.8 |
100 |
20 |
4 |
3.2 |
0.115 |
17 |
5.8 |
73 |
150 |
PQFN3.3X3.3 |
| SI4102DY |
SMD |
N |
2.4 |
100 |
20 |
4 |
2.7 |
0.158 |
- |
10 |
40 |
150 |
SO-8 |