Справочник электронных компонентов

Транзистор IRFMG40

IRFMG40 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-254AA

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 125 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 1000 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 3.9 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 3.5 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 50 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 250 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IRFMG40 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
APT1002R4BNR	PTH	N	240	1000	20	4	6.5	2.4	86	13	235	150	TO-247AD
APT1002RBNR	PTH	N	240	1000	20	4	7	2	86	13	235	150	TO-247
IRFAG40	PTH	N	125	1000	20	4	3.9	3.5	120	50	250	150	TO-3
IRFAG50	PTH	N	150	1000	20	4	5.6	2	200	44	240	150	TO-3
IRFMG50	PTH	N	150	1000	20	4	5.6	2	-	44	240	150	TO-254AA
IRFNG40	SMD	N	125	1000	20	4	3.9	3.5	120	50	250	150	SMD1
IRFNG50	SMD	N	150	1000	20	4	5.5	2	200	44	240	150	SMD1
IRFPG40PBF	PTH	N	150	1000	20	4	4.3	3.5	120	33	170	150	TO-247AC
IRFPG50PBF	PTH	N	190	1000	20	4	6.1	2	190	35	250	150	TO-247AC
SIHFPG40	PTH	N	150	1000	20	4	4.3	3.5	120	33	170	150	TO-247AC
SIHFPG50	PTH	N	190	1000	20	4	6.1	2	190	35	250	150	TO-247AC