Транзистор IRFNJ5305
IRFNJ5305 - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SMD0.5
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 75 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 55 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 22 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.065 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 203 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 125 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 495 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IRFNJ5305 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IRF5NJ5305 |
SMD |
P |
75 |
55 |
20 |
4 |
22 |
0.065 |
70 |
125 |
495 |
150 |
SMD0.5 |
| SUD50P08-26 |
SMD |
P |
136 |
80 |
20 |
4 |
50 |
0.026 |
102 |
50 |
320 |
175 |
TO-252 |
| SUD50P10-43 |
SMD |
P |
136 |
100 |
20 |
4 |
38 |
0.043 |
105 |
115 |
230 |
175 |
TO-252 |