Справочник электронных компонентов

Транзистор IRFP150A

IRFP150A - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-3P

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 193 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 43 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.04 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 97 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1750 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IRFP150A можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
CS3710B8	PTH	N	200	100	20	4	57	0.023	72	30	620	175	TO-220AB
FQH70N10	PTH	N	214	100	25	4	70	0.023	85	470	720	175	TO-247
IRF8010PBF	PTH	N	260	100	20	4	80	0.015	81	130	480	175	TO-220AB
IRF8010SPBF	SMD	N	260	100	20	4	80	0.015	81	130	480	175	TO-263
KDB2532	SMD	N	310	150	20	4	79	0.016	82	30	615	175	TO-263
KDB3632	SMD	N	310	100	20	4	80	0.009	84	39	820	175	TO-263
STP130N10F3	PTH	N	250	100	20	4	120	0.0096	57	38	373	175	TO-220
SUM65N20-30	SMD	N	375	200	20	4	65	0.03	90	220	480	175	TO-263
SUM85N15-19	SMD	N	375	150	20	4	85	0.019	76	170	530	175	TO-263
SUP57N20-33	PTH	N	300	200	20	4	57	0.033	90	220	480	175	TO-220AB
SUP85N15-21	PTH	N	300	150	20	4	85	0.021	76	170	530	175	TO-220AB