Транзистор IRFR1018EPBF
IRFR1018EPBF - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 110 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 56 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0084 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 35 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 270 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор IRFR1018EPBF можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| HY1607P |
PTH |
N |
160 |
68 |
25 |
4 |
70 |
0.007 |
- |
13 |
190 |
175 |
TO-220 |
| IRF1018EPBF |
PTH |
N |
110 |
60 |
20 |
4 |
79 |
0.0084 |
46 |
35 |
270 |
175 |
TO-220AB |
| IRF1018ESLPBF |
PTH |
N |
110 |
60 |
20 |
4 |
79 |
0.0084 |
46 |
35 |
270 |
175 |
TO-262 |
| IRF1018ESPBF |
SMD |
N |
110 |
60 |
20 |
4 |
79 |
0.0084 |
46 |
35 |
270 |
175 |
TO-263 |
| IRFU1018EPBF |
PTH |
N |
110 |
60 |
20 |
4 |
56 |
0.0084 |
46 |
35 |
270 |
175 |
TO-251 |