Транзистор IRFR120
IRFR120 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 42 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 8.4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.27 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 16 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IRFR120 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| BUK7Y113-100E |
SMD |
N |
45 |
100 |
20 |
4 |
12 |
0.113 |
10.4 |
5.9 |
72 |
175 |
LFPAK56 |
| CHM12N10PAGP |
SMD |
N |
43 |
100 |
20 |
4 |
11 |
0.18 |
8 |
7 |
90 |
150 |
TO-252 |
| FDD120AN15A0 |
SMD |
N |
65 |
150 |
20 |
4 |
14 |
0.12 |
11.2 |
- |
- |
175 |
TO-252 |
| FDMC2610 |
SMD |
N |
42 |
200 |
20 |
4 |
9.5 |
0.2 |
12.3 |
- |
- |
150 |
Power33 |
| FQB13N10 |
SMD |
N |
65 |
100 |
25 |
4 |
12.8 |
0.18 |
12 |
55 |
100 |
175 |
D2PAK |
| FQP13N10 |
PTH |
N |
65 |
100 |
25 |
4 |
12.8 |
0.18 |
12 |
- |
- |
175 |
TO-220 |
| IRF520S |
SMD |
N |
60 |
100 |
20 |
4 |
9.2 |
0.27 |
16 |
30 |
150 |
175 |
TO-263 |
| IRF520SPBF |
SMD |
N |
60 |
100 |
20 |
4 |
9.2 |
0.27 |
16 |
30 |
150 |
175 |
TO-263 |
| IRFU120 |
PTH |
N |
42 |
100 |
20 |
4 |
8.4 |
0.27 |
16 |
- |
- |
150 |
IPAK |
| PSMN069-100YS |
SMD |
N |
56 |
100 |
20 |
4 |
17 |
0.0724 |
14 |
- |
- |
175 |
LFPAK |
| SIHF520S |
SMD |
N |
60 |
100 |
20 |
4 |
9.2 |
0.27 |
16 |
30 |
150 |
175 |
TO-263 |
| STD10NF10-1 |
PTH |
N |
50 |
100 |
20 |
4 |
13 |
0.13 |
15.3 |
25 |
70 |
175 |
IPAK |
| STD10NF10T4 |
SMD |
N |
50 |
100 |
20 |
4 |
13 |
0.13 |
15.3 |
25 |
70 |
175 |
DPAK |
| SUM09N20-270 |
SMD |
N |
60 |
200 |
20 |
4 |
9 |
0.27 |
11 |
35 |
75 |
175 |
TO-263 |