Транзистор IRFR12N25DPBF
IRFR12N25DPBF - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 144 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 250 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 14 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.26 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 25 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 130 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор IRFR12N25DPBF можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IRFU12N25D |
PTH |
N |
144 |
250 |
30 |
5 |
14 |
0.26 |
23 |
25 |
130 |
175 |
TO-251 |
| IRFU12N25DPBF |
PTH |
N |
144 |
250 |
30 |
5 |
14 |
0.26 |
23 |
25 |
130 |
175 |
TO-251 |