Транзистор IRFR13N20DPBF
IRFR13N20DPBF - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 110 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 200 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 13 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.235 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 27 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 140 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор IRFR13N20DPBF можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IRFU13N20DPBF |
PTH |
N |
110 |
200 |
30 |
5.5 |
13 |
0.235 |
25 |
27 |
140 |
175 |
TO-251 |