Транзистор IRFR1N60APBF
IRFR1N60APBF - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 36 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 1.4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 7 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 14 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 32.6 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IRFR1N60APBF можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| HFD2N70S |
SMD |
N |
38 |
700 |
30 |
4 |
1.5 |
7 |
6.2 |
10 |
30 |
150 |
DPAK |
| HFP2N70S |
PTH |
N |
43 |
700 |
30 |
4 |
1.6 |
7 |
6.2 |
10 |
30 |
150 |
TO-220F |
| IRFU1N60A |
PTH |
N |
36 |
600 |
30 |
4 |
1.4 |
7 |
14 |
14 |
32.6 |
150 |
TO-251 |
| IRFU1N60APBF |
PTH |
N |
36 |
600 |
30 |
4 |
1.4 |
7 |
14 |
14 |
32.6 |
150 |
TO-251 |
| SIHFR1N60A |
SMD |
N |
36 |
600 |
30 |
4 |
1.4 |
7 |
14 |
14 |
32.6 |
150 |
TO-252 |
| SIHFU1N60A |
PTH |
N |
36 |
600 |
30 |
4 |
1.4 |
7 |
14 |
14 |
32.6 |
150 |
TO-251 |