Справочник электронных компонентов

Транзистор IRFR2905ZPBF

IRFR2905ZPBF - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: TO-252

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 110 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 55 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 42 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0145 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 66 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 240 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор IRFR2905ZPBF можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AOD4180	SMD	N	150	80	25	4	54	0.014	-	8.5	228	175	TO-252
BUK7Y14-80E	SMD	N	147	80	20	4	65	0.014	44.8	13.2	240	175	LFPAK56
HY1607P	PTH	N	160	68	25	4	70	0.007	-	13	190	175	TO-220
IRFB4510PBF	PTH	N	140	100	20	4	62	0.0135	58	32	220	175	TO-220AB
IRFR4510PBF	SMD	N	143	100	20	4	56	0.0139	54	42	213	175	TO-252
IRFS4510PBF	SMD	N	140	100	20	4	61	0.0139	58	32	220	175	TO-263
IRFSL4510PBF	PTH	N	140	100	20	4	61	0.0139	58	32	220	175	TO-262
IRFU2905ZPBF	PTH	N	110	55	20	4	42	0.0145	29	66	240	175	TO-251
IRFU4510PBF	PTH	N	143	100	20	4	56	0.0139	54	42	213	175	TO-251