Справочник электронных компонентов

Транзистор IRFR3518

IRFR3518 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: DPAK

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 110 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 80 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 38 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.029 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 37 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор IRFR3518 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
BUK7227-100B	SMD	N	167	100	20	4	48	0.027	37	-	-	185	DPAK
FDD3672	SMD	N	135	100	20	4	44	0.028	24	-	-	175	TO-252
IRFR3518PBF	SMD	N	110	80	20	4	38	0.029	37	25	270	175	TO-252AA
IRFU3518	PTH	N	110	80	20	4	38	0.029	37	-	-	175	IPAK
IRFU3518PBF	PTH	N	110	80	20	4	38	0.029	37	25	270	175	TO-251
IXTP50N085T	PTH	N	130	85	20	4	50	0.023	34	55	-	175	TO-220
IXTY50N085T	SMD	N	130	85	20	4	50	0.023	34	55	-	175	TO-252AA
KDB3672	SMD	N	120	100	20	4	44	0.028	24	59	247	175	TO-263
SM1A01NFS	PTH	N	136	100	25	4	53	0.022	37	13	270	175	TO-220
SM1A01NSF	PTH	N	136	100	25	4	53	0.022	37	13	270	175	TO-220