Справочник электронных компонентов

Транзистор IRFR5305

IRFR5305 - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: TO-252AA

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 89 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 55 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 10 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 28 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.065 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 42 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IRFR5305 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AM90P06-20P	PTH	P	300	60	20	1	90	0.02	22	9	216	175	TO-220AB
AOB411L	SMD	P	187	60	20	2.5	78	0.0165	40	20	483	175	TO-263
IRF5305	PTH	P	110	55	10	-	31	0.06	42	-	-	150	TO-220AB
IRF5305L	PTH	P	110	55	20	4	31	0.06	42	-	-	175	TO-262
IRF5305S	SMD	P	110	55	10	-	31	0.06	42	-	-	150	D2PAK
IRFU5305	PTH	P	89	55	20	4	28	0.065	42	-	-	175	TO-251AA