Транзистор IRFR5505GPBF
IRFR5505GPBF - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 57 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 55 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 18 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.11 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 32 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 28 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 270 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IRFR5505GPBF можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IRFR5505PBF |
SMD |
P |
57 |
55 |
20 |
4 |
18 |
0.11 |
32 |
28 |
270 |
150 |
TO-252 |
| IRFU5505PBF |
PTH |
P |
57 |
55 |
20 |
4 |
18 |
0.11 |
32 |
28 |
270 |
150 |
TO-251 |