Справочник электронных компонентов

Транзистор IRFR9024N

IRFR9024N - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: TO-252AA

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 38 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 55 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 10 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 11 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.175 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 12.7 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IRFR9024N можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AFP9576	SMD	P	40	60	20	2.5	14	0.115	12	6	110	150	TO-252
AM20P06-175I	PTH	P	50	60	20	1	14	0.175	9	4	65	175	TO-251
IRF9Z24N	PTH	P	45	55	10	-	12	0.175	12.7	-	-	150	TO-220AB
IRF9Z24NS	SMD	P	45	55	20	4	12	0.175	12.7	-	-	175	D2PAK
IRFU9024N	PTH	P	38	55	20	4	11	0.175	12.7	-	-	150	TO-251AA
STB16PF06LT4	SMD	P	70	60	16	1.5	16	0.125	11.4	90	121	175	D2PAK