Транзистор IRFR9N20D
IRFR9N20D - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 86 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 200 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 9.4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.38 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 18 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор IRFR9N20D можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IRFR9N20DPBF |
SMD |
N |
86 |
200 |
30 |
5.5 |
9.4 |
0.38 |
18 |
16 |
97 |
175 |
TO-252 |
| IRFU9N20D |
PTH |
N |
86 |
200 |
30 |
5.5 |
9.4 |
0.38 |
18 |
- |
- |
175 |
IPAK |
| IRFU9N20DPBF |
PTH |
N |
86 |
200 |
30 |
5.5 |
9.4 |
0.38 |
18 |
16 |
97 |
175 |
TO-251 |