Транзистор IRFS33N15D
IRFS33N15D - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: D2PAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 170 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 150 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 33 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.056 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 60 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор IRFS33N15D можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IRFB33N15D |
PTH |
N |
170 |
150 |
30 |
5.5 |
33 |
0.056 |
60 |
- |
- |
175 |
TO-220AB |
| IRFB33N15DPBF |
PTH |
N |
170 |
150 |
30 |
5.5 |
33 |
0.056 |
60 |
38 |
400 |
175 |
TO-220AB |
| IRFS33N15DPBF |
SMD |
N |
170 |
150 |
30 |
5.5 |
33 |
0.056 |
60 |
38 |
400 |
175 |
TO-263 |
| IRFSL33N15D |
PTH |
N |
170 |
150 |
30 |
5.5 |
33 |
0.056 |
60 |
- |
- |
175 |
TO-262 |