Транзистор IRFS52N15DPBF
IRFS52N15DPBF - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 230 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 150 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 51 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.032 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 60 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 47 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 590 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор IRFS52N15DPBF можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IRFB52N15DPBF |
PTH |
N |
230 |
150 |
30 |
5 |
51 |
0.032 |
60 |
47 |
590 |
175 |
TO-220AB |
| IRFSL52N15D |
PTH |
N |
320 |
150 |
30 |
5 |
60 |
0.032 |
60 |
47 |
590 |
175 |
TO-262 |