Справочник электронных компонентов

Транзистор IRFS654B

IRFS654B - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-220F

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 50 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 250 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 21 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.14 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 95 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 195 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 290 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IRFS654B можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
SIHB28N60EF	SMD	N	250	600	30	4	28	0.123	80	40	123	150	TO-263
SIHG28N60EF	PTH	N	250	600	30	4	28	0.123	80	40	123	150	TO-247AC
SIHG28N65E	PTH	N	250	650	30	4	28	0.122	93	39	164	150	TO-247AC
SIHG30N60E	PTH	N	250	600	30	4	29	0.125	85	32	138	150	TO-247AC
SIHH26N60E	SMD	N	202	600	30	4	25	0.135	77	54	125	150	PowerPAK8X8
SIHP28N60EF	PTH	N	250	600	30	4	28	0.123	80	40	123	150	TO-220AB
SIHP28N65E	PTH	N	250	650	30	4	28	0.122	93	39	164	150	TO-220AB
STB30NM60N	SMD	N	190	600	30	4	25	0.13	91	24	210	150	D2PAK
STP30NM60N	PTH	N	190	600	30	4	25	0.13	91	24	210	150	TO-220
STW30NM60N	PTH	N	190	600	30	4	25	0.13	91	24	210	150	TO-247