Транзистор IRFS7530PBF
IRFS7530PBF - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 375 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3.7 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 195 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.002 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 274 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 141 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1266 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор IRFS7530PBF можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IRFB7530 |
PTH |
N |
375 |
60 |
20 |
3.7 |
295 |
0.002 |
274 |
141 |
1266 |
175 |
TO-220AB |
| IRFS7530-7PPBF |
SMD |
N |
375 |
60 |
20 |
3.7 |
240 |
0.0014 |
236 |
102 |
1270 |
175 |
TO-263-CA7 |
| IRFSL7530PBF |
PTH |
N |
375 |
60 |
20 |
3.7 |
195 |
0.002 |
274 |
141 |
1266 |
175 |
TO-262 |